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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
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功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
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功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
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功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
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输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
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输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：107mΩ@2A，10V
输入电容：235pF@30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：7nC@10V
阈值电压：2.8V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
类型：P沟道
工作温度：150℃
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：1.2V@200µA
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J50TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
