采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R3-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2920pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK966R5-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK966R5-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R3-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：43.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2920pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK966R5-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK969R0-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA04EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
