品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
阈值电压:4V@80µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRLZ34NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:25nC@5V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:35mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
连续漏极电流:30A
输入电容:880pF@25V
功率:3.8W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
阈值电压:4V@80µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
阈值电压:2.4V@29µA
导通电阻:31mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1
阈值电压:2.2V@11µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:36W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:22mΩ@30A,10V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3915TRPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:120W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
输入电容:1870pF@25V
栅极电荷:92nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.6mΩ@30A,10V
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@10µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:980pF@25V
功率:31W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":81385,"MI+":1224}
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1976pF@25V
阈值电压:2.4V@29µA
导通电阻:31mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":19020,"MI+":2479}
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
输入电容:1560pF@25V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@10µA
漏源电压:60V
功率:36W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:23mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125C6ATMA1
阈值电压:3.5V@960µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:125mΩ@14.5A,10V
类型:N沟道
功率:219W
漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:23mΩ@22A,10V
漏源电压:55V
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1091pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
输入电容:832pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
功率:45.5W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R080M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2908TRPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:120W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:33nC@4.5V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1890pF@25V
导通电阻:28mΩ@23A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
阈值电压:4V@1.7mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
类型:P沟道
输入电容:1535pF@25V
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
栅极电荷:48nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD26N06S2L35ATMA2
阈值电压:2V@26µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:68W
导通电阻:35mΩ@13A,10V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:55V
输入电容:621pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L13ATMA4
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
连续漏极电流:30A
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1459,"22+":13901,"23+":188484,"MI+":36009}
规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:23mΩ@22A,10V
漏源电压:55V
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1091pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":19020,"MI+":2479}
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
输入电容:1560pF@25V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@10µA
漏源电压:60V
功率:36W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:23mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L13ATMA4
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
连续漏极电流:30A
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:55V
功率:100W
输入电容:901pF@25V
连续漏极电流:30A
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
导通电阻:23mΩ@21A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1976pF@25V
阈值电压:2.4V@29µA
导通电阻:31mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":1061,"19+":757,"21+":1313,"23+":209160,"24+":7056,"2M+":1302,"MI+":79353}
规格型号(MPN):IPD30N06S2L13ATMA4
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1757,"14+":7500}
规格型号(MPN):SPD30N03S2L07GBTMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2V@85µA
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
输入电容:2530pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":2120,"23+":4592,"MI+":5875}
规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:55V
功率:100W
输入电容:901pF@25V
连续漏极电流:30A
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
导通电阻:23mΩ@21A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF13N03LA G
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12.8mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:1043pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":2120,"23+":4592,"MI+":5875}
规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:55V
功率:100W
输入电容:901pF@25V
连续漏极电流:30A
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
导通电阻:23mΩ@21A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R080M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:30A
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: