品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":154}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB150N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1985pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP125N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V@2.4mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5414NT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5414NT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB150N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1999pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5414NT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: