采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7V4R2-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7V4R2-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-40VSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7V4R2-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-40VSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-40VSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-40VSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-40VSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：3.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
