采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4414pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4414pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4414pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4414pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NCT3G
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2516pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
