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    包装方式: 卷带(TR)
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    当前匹配商品:80+
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FQTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FQTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1420

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:209
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订15000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订15000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:166pF@40V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2060TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:0.67nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:345mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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