采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1177pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
