采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4C05NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：0，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：0，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：96.3nC@10V
功率：2.1W€105W
连续漏极电流：22A€90A
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：0，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
输入电容：12000pF@30V
功率：2.2W€78W
栅极电荷：143nC@10V
连续漏极电流：22A€90A
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€105W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12917，"24+"：11847}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：0，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB028N06NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€78W
阈值电压：4V@102µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@30V
连续漏极电流：22A€90A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
