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    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 36A
    类型: P沟道
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    行业应用: 汽车
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:3000
    加购:3000
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T2_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T2_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P04SDG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P04SDG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P04SDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P04SDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P04SDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P04SDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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