品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7307,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203PHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV15UNEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6437-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000,"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6437-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8822
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7307,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203PHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7307,"19+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203PHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:24mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO8810
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000,"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6437-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO203SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV15UNEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: