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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3407-TP 起订7个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3407-TP 起订7个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3407-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415AE_R1_00001 起订7个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415AE_R1_00001 起订7个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415AE_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订31个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订31个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6401TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRLPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRLPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3407A 起订27个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3407A 起订27个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3407A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045U-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045U-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UQ-13 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7923DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7923DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:47mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:252pF@50V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订29个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订29个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6401TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UQ-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UQ-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:216pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:216pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3407A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3407A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3407A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:252pF@50V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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