采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000，"24+"：600，"MI+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6910
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：24+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：24+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6911
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8978
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"23+"：1000，"24+"：600，"MI+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6910
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10000，"24+"：1935}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6990AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：10000，"24+"：1935}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6990AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000，"24+"：600，"MI+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6910
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6890A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4800LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.17W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.56nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
