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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
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功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
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功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
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功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
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阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：235pF@15V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
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功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
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规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
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功率：1.25W
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栅极电荷：18nC@4.5V
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输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：602pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：235pF@15V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：1.25W
导通电阻：48mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3419_R1_00001
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
输入电容：602pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：756pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P-Channel
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2P-Channel
导通电阻：38mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
