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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
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规格型号(MPN)：SI2304A
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类型：N沟道
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品牌：UMW
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规格型号(MPN)：SI2304A
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功率：1.25W
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功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
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功率：1.25W
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栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
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功率：1.25W
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
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功率：1.25W
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栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：555pF@15V
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.25W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
输入电容：555pF@15V
栅极电荷：7nC@5V
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：560pF@15V
功率：500mW
栅极电荷：7.9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
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