采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44FS，LF
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
输入电容：13.5pF@3V
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FU，LF
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
功率：200mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
输入电容：13.5pF@3V
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
输入电容：13.5pF@3V
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3541T2L
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFU，LF
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
输入电容：13.5pF@3V
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACTC，L3F
输入电容：13.5pF@3V
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：500mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K44FS，LF
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1116
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
输入电容：13.5pF@3V
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：100mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM5K1NTR
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）共源
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3019TL
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：8Ω@10mA，4V
工作温度：150℃
输入电容：13pF@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：100mA
导通电阻：4Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
