品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3541T2L
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3019TL
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FS,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@100µA
导通电阻:12Ω@10mA,4V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
功率:100mW
ECCN:EAR99
输入电容:9.1pF@3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3019TL
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K1T2R
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K44FS,LF
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
导通电阻:4Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF
输入电容:13.5pF@3V
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACT,L3F
输入电容:13.5pF@3V
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
功率:100mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N44FE,LM
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
导通电阻:4Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15F,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@100µA
导通电阻:12Ω@10mA,4V
连续漏极电流:100mA
功率:200mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:9.1pF@3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N44FU,LF
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
导通电阻:4Ω@10mA,4V
功率:200mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FS,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@100µA
导通电阻:12Ω@10mA,4V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
功率:100mW
ECCN:EAR99
输入电容:9.1pF@3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACT,L3F
输入电容:13.5pF@3V
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
功率:100mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3541T2L
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF
输入电容:13.5pF@3V
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":108000,"17+":99000,"18+":9000}
规格型号(MPN):3LP01S-TL-E
导通电阻:10.4Ω@50mA,4V
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:1.43nC@10V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
输入电容:7.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J15FS,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@100µA
导通电阻:12Ω@10mA,4V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
功率:100mW
ECCN:EAR99
输入电容:9.1pF@3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NTN
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AFS,LF
输入电容:13.5pF@3V
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
功率:100mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FU,LF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@100µA
导通电阻:12Ω@10mA,4V
连续漏极电流:100mA
功率:200mW
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:9.1pF@3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K1T2R
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:1.7V@100µA
导通电阻:12Ω@10mA,4V
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3541T2L
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF
输入电容:13.5pF@3V
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K1T2R
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F
输入电容:13.5pF@3V
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
输入电容:13.5pF@3V
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K44FS,LF
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.5pF@3V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
导通电阻:4Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1116
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3018T106
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8Ω@10mA,4V
工作温度:150℃
输入电容:13pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: