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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@16V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订28个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订28个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@16V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON3814L 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AON3814L 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON3814L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:17mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订44个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订44个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UVT-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UVT-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L 起订43个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L 起订43个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订12个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C060BCTCL 起订12个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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