品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ371PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4885}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ375P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: