品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@760µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2721pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7HRTL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7HRTL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7HRTL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@760µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2721pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:117W
阈值电压:4V@530µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1952pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5305TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR5305TR
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IGT60R070D1ATMA4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5305STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7TL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGO60R070D1AUMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7TL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9637-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:22.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2681pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5305TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":20000,"23+":62000,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7TL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5305STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1353}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGO60R070D1AUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DW7HRTL
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:4.8V@8.89mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@500V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@760µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2721pF@400V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R099CPAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.65W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: