采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R080G7XTMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD350N06LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1928
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080AW7TL
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：571pF@500V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD350N06LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2830}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080AW7TL
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：571pF@500V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2449}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD350N06LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080AW7TL
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：571pF@500V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD350N06LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M34-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2844pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080AW7TL
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：48nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：571pF@500V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4459ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：29A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4184EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@20V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
