采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：554，"19+"：2500，"MI+"：681}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
