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    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 5.2A
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

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    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订15000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订15000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4031SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4031SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2336DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UTS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UTS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4031SSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4031SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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