采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9335TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
