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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
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输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
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连续漏极电流：33A
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输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
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输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
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连续漏极电流：33A
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输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：33nC@10V
阈值电压：2.5V@500µA
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
工作温度：175℃
功率：125W
输入电容：2250pF@10V
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1L，LQ
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栅极电荷：33nC@10V
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输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
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