采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：149}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
