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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
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ECCN：EAR99
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输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
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连续漏极电流：1.5A
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连续漏极电流：1.5A
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规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
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连续漏极电流：1.5A
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输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
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连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
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栅极电荷：7.7nC@10V
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输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
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连续漏极电流：1.5A
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栅极电荷：7.7nC@10V
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导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
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输入电容：180pF@25V
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栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
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