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    品牌
    ON SEMI NEXPERIA DIODES INFINEON FAIRCHILD
    包装方式
    卷带（TR）
    连续漏极电流
    210mA
    工作温度
    -55℃~150℃
    行业应用
    工业
    类型
    N沟道
    功率
    266mW€1.33W 260mW 340mW 310mW 1.8W 302mW 570mW
    阈值电压
    1.5V@1mA 2.5V@250µA 1V@94µA 1.5V@250µA 1.3V@250µA
    栅极电荷
    1.1nC@10V 6.8nC@5V 821nC@10V 0.821nC@10V 0.5nC@4.5V 0.82nC@10V 0.7nC@10V
    漏源电压
    20V 55V 400V 50V 60V
    包装方式： 卷带（TR）
    连续漏极电流： 210mA
    工作温度： -55℃~150℃
    行业应用： 工业
    类型： N沟道
    当前匹配商品：100+
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    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：11
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LT-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LT-13

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D8LT-13

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：260mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    栅极电荷：821nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：66
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-13 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-13 起订26个装

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D8L-13

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：340mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    栅极电荷：0.82nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订101个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订101个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：101
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSP179H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP179H6327XTSA1

    品牌：INFINEON

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    生产批次：{"17+"：41068}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSP179H6327XTSA1

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：1.8W

    阈值电压：1V@94µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：6.8nC@5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：135pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：18Ω@210mA，10V

    漏源电压：400V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：822
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    生产批次：{"23+"：24000}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：7962
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：100
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：800
    加购：100
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：4000
    加购：4000
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：91
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：100
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：500
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：100
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：2000
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：2000
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：1000
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT5G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：500
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：1000
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-13 起订5000个装

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D8L-13

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：340mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    栅极电荷：0.82nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：5000
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：18
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：1000
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-7

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D7L-7

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：570mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    栅极电荷：0.821nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：30000
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 BSS138W 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 BSS138W 起订1000个装

    品牌：FAIRCHILD

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSS138W

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：340mW

    阈值电压：1.5V@1mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：1.1nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：38pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.5Ω@220mA，10V

    漏源电压：50V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：1000
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    ECCN：EAR99

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：2000
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：9000
    加购：3000
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D7L-13

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：570mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：0.821nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：1000
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D7L-13

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：570mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：0.821nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：19
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订50个装

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSH111BKR

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：302mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    栅极电荷：0.5nC@4.5V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：30pF@30V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：4Ω@200mA，4.5V

    漏源电压：55V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：50
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NTK3043NT1G

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：310mW

    阈值电压：1.3V@250µA

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：11pF@10V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V

    漏源电压：20V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
    起购：20000
    加购：4000
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-7

    品牌：DIODES

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：DMN67D7L-7

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：570mW

    阈值电压：2.5V@250µA

    栅极电荷：0.821nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：22pF@25V

    连续漏极电流：210mA

    类型：N沟道

    导通电阻：5Ω@500mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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