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    包装方式
    连续漏极电流
    14A
    行业应用
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 14A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1000+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8693R-TL-W 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8693R-TL-W 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:7mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R170CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:76W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NSTRLPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9530NSTRLPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2207 起订1个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2207 起订1个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2207

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@14A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6010LSS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7483ADP-T1-E3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7483ADP-T1-E3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7483ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL24N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL24N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL24N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185CFD7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185CFD7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R185CFD7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1199pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4015SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI04048 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI04048 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI04048

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€59W

    阈值电压:2.5V@650µA

    栅极电荷:35.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@35.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRL7732S2TR 起订421个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRL7732S2TR 起订421个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2265,"22+":1930,"23+":25244}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRL7732S2TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.2W€41W

    阈值电压:2.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M67-60EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M67-60EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M67-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:334pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SK3-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SK3-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4015SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7483ADP-T1-E3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7483ADP-T1-E3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7483ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR020TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR020TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR020TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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