采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P-Channel
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：14A
漏源电压：12V
输入电容：3350pF@6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
栅极电荷：50nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
连续漏极电流：14A
输入电容：1995pF@15V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
