采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y11-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y11-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y11-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1962}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3802TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@6V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y11-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN010-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：44.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6506pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB117N20NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@100V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@84A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
