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    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C050APTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCD100N20TL

    工作温度:150℃

    功率:850mW€20W

    阈值电压:5.25V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:182mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E100XNTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8308-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8308-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8308-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC6605R-V-TR 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC6605R-V-TR 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC6605R-V-TR 起订2352个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC6605R-V-TR 起订2352个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8697R-TL-W 起订676个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8697R-TL-W 起订676个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":230,"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8697R-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:11.6mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPC8125,LQ(S 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPC8125,LQ(S 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPC8125,LQ(S

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@500µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2580pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C050APTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCD100N20TL

    工作温度:150℃

    功率:850mW€20W

    阈值电压:5.25V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:182mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J507NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J507NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH100P03GZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH100P03GZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH100P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E100ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E100XNTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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