采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
