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    品牌: DIODES
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 1V@250μA
    当前匹配商品:30+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    连续漏极电流:4.8A

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:400pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:130mΩ@10V,4.4A

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,3.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B03E6TA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B03E6TA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B03E6TA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.16nF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDE-7

    功率:610mW

    阈值电压:1V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@4.5V,7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订1642个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订1642个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2240

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:90mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFZ-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFZ-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55.2pF@16V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订300000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订300000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:740pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5V,600mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:550pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@4V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UT-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UT-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN55D0UT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:160mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4Ω@4V,100mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2240

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:90mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订20000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订20000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.385nF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:740pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,600mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDE-7

    功率:610mW

    阈值电压:1V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@4.5V,7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFZ-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFZ-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55.2pF@16V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN5L06KQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN5L06KQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN5L06KQ-7

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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