品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS138LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116
功率:350mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW€1.06W
阈值电压:1.5V@250mA
栅极电荷:510pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: