采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNTL1
导通电阻：80mΩ@8A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：380pF@10V
栅极电荷：9.4nC@10V
连续漏极电流：8A
阈值电压：2.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
