首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1961
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0803NLSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0803NLSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2574,"22+":3377}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0803NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€43W

    阈值电压:2.3V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:7.7A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:725
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R900P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R900P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@110µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5710DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5710DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@75V

    连续漏极电流:7.8A€26.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5710DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5710DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@75V

    连续漏极电流:7.2A€26.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33035}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1158
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0589NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1082
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:4.6A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:4.6A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC097N06NSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC097N06NSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC097N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3.3V@14µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1075pF@30V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5710DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5710DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@75V

    连续漏极电流:7.2A€26.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R650CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:342pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.8A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0504NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0504NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4474}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0504NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:21A€72A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1075
    ROHM Mosfet场效应管 RD3U060CNTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3U060CNTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3U060CNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧