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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":260,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1267
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ100N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3121}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ100N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1221
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD23N06-31-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W€31.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:21.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:592
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ130N03MSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ130N03MSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ130N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ040N03L5ISATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ040N03L5ISATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ040N03L5ISATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420ATRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420ATRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420ATRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ130N03MSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ130N03MSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ130N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0909NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0909NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@15V

    连续漏极电流:9A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS5838NLR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS5838NLR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":15038}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@20V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    AOS Mosfet场效应管 AON7430 起订14个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7430 起订14个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@15V

    连续漏极电流:13A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.2W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86551L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86551L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86551L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7810DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    加购:5000
    AOS Mosfet场效应管 AO3404A 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3404A 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3404A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
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