品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32334C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:1173pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2W€40W
导通电阻:34mΩ@15A,10V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:5.5A€25A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@20V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@20V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@20V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:22A€88A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: