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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LCDC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LCDC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3070pF@40V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@22A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0901NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0901NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@750µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@750µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    加购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7572S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7572S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2608}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7572S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2705pF@13V

    连续漏极电流:22.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:294
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7676

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7676

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@15V

    连续漏极电流:16A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:681
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":92500,"17+":12}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€138W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.85mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ188DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ188DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.85mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€138W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA26DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@40V

    连续漏极电流:16.7A€59.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR122DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR122DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@40V

    连续漏极电流:16.7A€59.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2699,"22+":2692,"MI+":2941}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3135pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
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