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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 49nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS002N04CLTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS002N04CLTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS002N04CLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€85W

    阈值电压:2V@90µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@25V

    连续漏极电流:28A€142A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@75V

    连续漏极电流:17.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86340ET80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@40V

    连续漏极电流:14A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3490,"23+":805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4288,"23+":15349,"24+":4582}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4288,"23+":15349,"24+":4582}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSTATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:3.3V@50µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB144N12N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB144N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@60V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@56A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
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