采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：50N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：40N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2928pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ011NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@12V
连续漏极电流：35A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT15H017LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3369pF@75V
连续漏极电流：9.4A€58A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4195}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ013NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@12V
连续漏极电流：32A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC076N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2808pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA72ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
