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    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:5000+
    商品信息
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1454pF@30V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6904pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6904pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4460AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€23.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:3.7A€11A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4460AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€23.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:3.7A€11A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1454pF@30V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM280NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM280NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4460AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€23.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:3.7A€11A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6904pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM130NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@30V

    连续漏极电流:10A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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