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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
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    连续漏极电流: 100A
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    当前匹配商品:1600+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N04S4L02ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.2V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@24µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2019pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.56mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R8-60E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R8-60E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R8-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9710pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R8-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y7R8-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:63.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5347pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6775pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S51R7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S51R7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:3.4V@60µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y3R5-40E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y3R5-40E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y3R5-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:30.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5137pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R6-60BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R6-60BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4426pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订118个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订118个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":1136,"22+":3200,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6607-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:179
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH3002LPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH3002LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€136W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK963R2-40B,118 起订180个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK963R2-40B,118 起订180个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3042}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK963R2-40B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10502pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R4-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R4-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2781pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R5-80BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R5-80BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4461pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3583pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB072N15N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB072N15N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB072N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5470pF@75V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R5-80EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y8R5-80EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y8R5-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:54.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8167pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR8403TRL 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR8403TRL 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR8403TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:99W

    阈值电压:3.9V@100µA

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3171pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@76A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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