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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB65CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB65CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB65CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:13.46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.37Ω@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB65CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB65CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB65CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:13.46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.37Ω@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3402-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3053L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3053L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3053L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:676pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L 起订7个装
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L 起订7个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3418L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464.3pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:33
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32338C
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32338C

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32338C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:32
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K4P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
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