采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
功率：86.2W
输入电容：545pF@25V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2306A
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：555pF@15V
栅极电荷：7nC@5V
导通电阻：35mΩ@4A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI10526
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47.7mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E040AJTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E040AJTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD041N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€29W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR040N03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
