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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 3.7A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR802NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@30µA

    栅极电荷:4.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1447pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1365
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3572
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@30µA

    栅极电荷:6.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:60
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR302NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR802NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1447pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A03E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDFMA2N028Z
    onsemi Mosfet场效应管 FDFMA2N028Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDFMA2N028Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR802NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@30µA

    栅极电荷:4.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1447pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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