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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3300UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT280ENEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT280ENEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT280ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHLL110TR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHLL110TR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHLL110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB452DK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL110TR-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    加购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD2N105K5
    ST Mosfet场效应管 STD2N105K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2N105K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@100V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@750mA,10V

    漏源电压:1050V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R4K5P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R4K5P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R4K5P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@20µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@500V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@400mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4503NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@24V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17483F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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