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    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    栅极电荷:8.6nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:448pF@15V

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4935NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4935NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":55000,"10+":143360}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4935NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3639pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:401
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:143W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:241
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4496SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4496SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4496SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:493.5pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    ST Mosfet场效应管 STB10NK60ZT4
    ST Mosfet场效应管 STB10NK60ZT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB10NK60ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:115W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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