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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 20A
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:894
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9675-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:716
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75321D3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75321D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:93W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":29882,"24+":8350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1193
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1137
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9675-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9675-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLR2703TRL 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRLR2703TRL 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":144000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRLR2703TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8N10LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8N10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€70W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOD454A
    AOS Mosfet场效应管 AOD454A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD454A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76629D3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76629D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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